利用分子束磊晶搭配氧氣電漿成長二氧化鉿於矽/砷化銦基板

HfO2 on Si/ InAs Grown by Oxygen Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

陳昶穎(Chang- Ying Chen)

指導教授 ： 林浩雄

國立臺灣大學/電機資訊學院/電子工程學研究所/碩士(2014年)

https://doi.org/10.6342/NTU.2014.10027

摘要

本論文利用分子束磊晶系統串聯另一腔體搭配電子槍蒸鍍系統以及氧氣電漿在超高真空環境下建構一先成長III-V族材料再臨場成長氧化物的系統，其中由於分子束磊晶系統本身擁有反射式高能電子繞射儀，以作為磊晶即時表面監控。而此論文中在矽基板上成長二氧化鉿，針對氧氣電漿參數對氧化層影響進而改變氧氣流量以及射頻功率，以達到本系統最佳條件。而最後利用此最佳條件成長二氧化鉿於砷化銦基板上，並針對不同的介面處理而得到較佳的結果。

關鍵字

三五族半導體 ； 二氧化鉿 ； 分子束磊晶

並列摘要

In this paper, we focus on the oxygen plasma how to affect the oxide quality. And we change the oxygen flow and the RF power to optimize our hafnium oxide which grow on silicon. And we use the best growth parameter to grow hafnium oxide on indium arsenic. We hope we can get a better result by different surface treatments .

並列關鍵字

iii-v ； hfo2 ； mbe

參考文獻

[2] D. J. Frank, R. H. Dennard, et al., “Device scaling limits of Si MOSFETs and their application dependencies,” Proc. IEEE, Vol.89, p. 259, 2001.

[3] G. Wilk, R. Wallace, et al., “High-K gate dielectric: Current status and materials properties considerations,” J. Appl. Phys., Vol. 89, p. 5243, 2001.

[4] E. Yu, D. Wang, et al., “High electron mobility InAs nanowire field-effect transistors,” Small, Vol. 3, p. 326, 2007.

[5] K. Mistry, “Intel’s Revolutionary 22 nm Transistor Technology,” p.10,2011, http://download.intel.com/newsroom/kits/22nm/pdfs/22nm-Details_Presentation.pdf.

[6] M. L. Anton and J. Bauer. “(2008). III-V material : latest developments and perspectives. ”