氧氣吸附於鉛/矽(111)表面上鉛島之低溫研究

Oxygen adsorption in the low-temperature on Pb islands on the Pb/Si (111) surface

黃至安(Chih-An Huang)

指導教授 ： 吳志毅

共同指導教授 ： 張嘉升(Chia-Seng Chang)

國立臺灣大學/電機資訊學院/光電工程學研究所/碩士(2010年)

https://doi.org/10.6342/NTU.2010.01637

摘要

在本論文中，我們利用掃描穿隧顯微鏡研究低溫下氧氣分子吸附於量子鉛島之行為。研究中發現氧氣的吸附量在低層數中會隨著量子鉛島的層數呈現雙層震盪。此現象可以歸因於量子尺寸效應。除此之外，氧氣的吸附量亦會被鉛島表面之電子結構所影響，且此影響與表面電子形貌呈現一致的變化。另外，我們亦對附著之氧分子團進行熱穩定性研究。利用人為的定位技術，我們研究了137K到175K溫度區間內氧分子團的行為。過程中發現，氧分子團在150K以下是相對穩定的。然而超過150K之後，部分氧分子團會有聚集行為發生，而特定大小範圍之氧分子團則會消逝於鉛島上。

關鍵字

掃描穿隧顯微術 ； 量子尺寸效應 ； 氧附著 ； 鉛島 ； 熱穩定性

並列摘要

The adsorption of oxygen on Pb films on the Pb/Si(111) incommensurate surface has been investigated at low temperature using scanning tunneling microscopy. The amount of adsorbed oxygen molecules oscillates with the Pb film thickness ranging from three to six atomic layers. This adsorbed behavior is a result of the quantum size effect. Furthermore, the coverage of adsorbed oxygen also found to be consistent with the electronic Moire` patterns on Pb islands. In addition, by means of in situ variable temperature STM, the thermal stability of oxygen clusters was systematically demonstrated at 137K-175K. It was found that oxygen clusters are stable below 150K. Above 150K, some clusters tend to aggregate or disappear in some specific size range.

並列關鍵字

Scanning Tunneling Microscopy ； Quantum Size Effect ； Oxygen Adsorption ； Pb island ； Thermal Stability

參考文獻

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