因為solar grade的單晶矽品質較差,矽塊材本身的缺陷會比較多,所以我們在矽晶片表面利用PECVD沉積氫化非晶矽薄膜(a-si:H),並用真空退火爐做285℃到400℃的退火動作來修補表面斷鍵進行鈍化(passivation)處理。利用FTIR和QSSPC分別量測比較有無氫化非晶矽薄膜的氫含量和少數載子生命周期,且不同的退火溫度對少數載子生命周期的影響。 由於我們的結構是射極鈍化背面局部擴散太陽電池,所以背面會用PECVD沉積一層厚度約100nm的氮化矽做保護跟絕緣用,接著使用網印蝕刻膠的方式做背面電極圖形的開口,此種方法會比黃光微影定義圖形的方式所需的時間及成本來的低,較適合應用在業界量產的模式。 實驗結果顯示局部的背面電場載子收集率會比全面的背面電場高,而經過鈍化處理的電池表面缺陷較少,進而提高短路電流(Jsc)及效率。