以VLS方式成長砷化鎵奈米線大都用金當作催化劑,然而金的存在會產生深層缺陷而影響奈米線的電子電洞傳輸行為。本研究改以利用矽之原生氧化層的孔洞及鎵液滴形成自我催化劑,經由VLS過程在矽基板上異質磊晶成長砷化鎵核殼結構奈米線。本研究以矽和鈹元素分別摻雜奈米線之核層與殼層,藉由控制核層成長時間,得到不同長度但固定直徑之砷化鎵核殼結構奈米線。另一方面,我們首度發展出一套製作奈米線太陽能電池的流程,依序為靜置光阻、旋塗光阻、氧電漿蝕刻光阻、以及ITO透明電極製作,其中,我們進ㄧ步觀察氧電漿蝕刻時間與ITO電極的退火溫度對於光電轉換效率及吸光範圍的影響。最後,得到完整的砷化鎵奈米線太陽能電池效率之探討。