摘要
我們發展一個新的方法利用化學氣相沉積法生長大區域和高密度氮化鋁奈米棒陣列。氮化鋁的成長機制為兩階段生長，第一階段為沉積氮化鋁薄膜，緊接著氮化鋁奈米棒陣列生長在薄膜上。由掃描式電子顯微鏡可知生長在矽晶片上的氮化鋁奈米棒平均直徑為40-50奈米而長度約0.5-1.0微米。由X-ray繞射儀及高解析穿透式電子顯微鏡的鑑定，可知大部分的氮化鋁奈米棒均為wurtzite 的單晶結構，且晶體的成長方向為[001]。拉曼光譜對於氮化鋁的研究，顯示角峰的位置在616，653，672 cm-1為氮化鋁烏采結構的A1(TO) 、E2(high)、 E1(TO)震動模式。藉由高密度的製造方式我們可以研究氮化鋁奈米棒陣列在一維奈米材料的基本物理化學性質。而且相信這個生長方法可以應用在合成其他三-五族半導體奈米棒陣列。
參考文獻
1. Hertel, T.; Moos, G. Phys.Rev. Lett. 1999, 84, 5002.
2. Brus, L. E. J. Phys. Chem. 1994, 98, 3575.
3. Brus, L. E. J. Phys. Chem. 1984, 80, 4403.
6. Gleiter, H. Prog. Mater. Sci. 1989, 32, 223.
7. (a) Alivisatos, A. P. Science 1996, 271, 993. (b) Chen, C. C.; Herhold, A. B.; Johnson, C. S.; Alivisatos, A. P. Science 1997, 276, 398.
延伸閱讀
- 張奕傑（2009）。氣凝合成法製作氮化硼奈米管特性之研究〔碩士論文，國立臺北科技大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6841/NTUT.2009.00237
- 江衍諭（2010）。以氧化鋁為緩衝層合成高成長效率之填鐵奈米碳管叢〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2010.01934
- Li, L. G. (2008). 以陽極氧化鋁技術於氮化銦鎵/氮化鎵量子井上製作奈米孔洞以釋放應變及產生表面電漿子奈米金屬顆粒之製備 [master's thesis, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU.2008.02279
- 林堅楊、連培榮、楊庭毓、洪偉欽、鄧育庭（2009）。以陽極鋁氧化法形成奈米孔陣列。先進工程學刊，4(1)，71-75。https://doi.org/10.29948/JAE.200901.0010
- Lai, Y. S. (2011). 氮化鋁奈米線成長條件和拉曼散射之特性研究 [master's thesis, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU.2011.10755