摘要
本研究是利用直流電弧離子鍍膜技術在低溫環境下於玻璃基板上沈積ITO透明導電薄膜，選用90/10 wt.%之ITO靶材；本研究中控制之製程條件包括：氧氣流量、基板偏壓。並對於沉積於玻璃基板上之ITO薄膜作相關特性量測分析，研究內容包括：電阻率、光穿透率以及微結構組織之結晶性等。實驗分析結果顯示，於鍍膜環境100℃左右，應用此直流電弧離子鍍膜技術，透過製程參數的調整，可獲得極低的電阻率≤.5×10^(-4)Ω-cm以及光穿透率可達80%以上。而試片之電阻特性與光穿透率特性均可對應到薄膜之微結構組織之結晶性差異，並且與整體鍍膜製程條件之反應能量有極為密切之對應關係。
延伸閱讀
- 楊峻銘（2005）。濺射成長ITO/金屬/ITO多層透明導電膜之特性研究〔碩士論文，崑山科技大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6828/KSU.2005.00055
- 張淳瑜（2013）。ITO透明導電薄膜於可撓式基板之性質研究〔碩士論文，淡江大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6846/TKU.2013.00212
- 謝富任（2011）。藉由RF磁控濺鍍法沉積ITO透明導電膜於可撓式基板上之研究〔碩士論文，大同大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0081-3001201315111456
- 張嘉珍（2007）。利用直流電弧離子鍍膜技術沈積ITO透明導電薄膜〔碩士論文，國立臺北科技大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0006-0102200715364800
- 洪文進、許登貴、萬明安、郭書瑋、蘇昭瑾（2005）。ITO透明導電薄膜：從發展與應用到製備與分析。化學，63(3)，409-418。https://doi.org/10.6623/chem.2005034