摘要
現今運用層面最廣的非揮發性記憶體－快閃記憶體，在目前微縮趨勢下會遭遇到兩個瓶頸：一是在元件尺寸繼續微縮下之瓶頸，由於尺寸微縮後穿隧氧化層之厚度亦隨之下降，如此雖可得到較快的讀寫速度，但電荷保存時間亦隨之下降，故須在兩者之間取得平衡點；二是在多次讀寫後在穿隧氧化層品質容易劣化而產生漏電路徑，將使得所有儲存在浮動閘極的電荷都會經由此漏電路徑而全部流失掉。為了克服上述兩個瓶頸，在不改變原來的元件架構下主要有兩種改良的的方法被提出，一是『多晶矽層／氧化層／氮化矽層／氧化層／矽』非揮發性記憶體，另一種是奈米晶體非揮發性記憶體。
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無資料延伸閱讀
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