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期刊
Analysis of Kink Reduction in SOI MOSFET Using Selective Back Oxide Structure
M. Narayanan
;
H. Al-Nashash
;
Baquer Mazhari
;
Dipankar Pal
;
Mahesh Chandra
《Active and Passive Electronic Components》
2012卷
(2012/12)
Pp. 98-106
https://doi.org/10.1155/2012/565827
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延伸閱讀
Kumar, U. (1996).
ANALYSIS AND MODELING OF DEPLETION-MODE MOS TRANSISTORS
.
Active and Passive Electronic Components
,
1996
(), 73-89. https://doi.org/10.1155/1996/60657
Hsieh, T. C. (2006).
The Study of Localized Gate Oxide Breakdown in n-MOSFETs
[master's thesis, Chung Yuan Christian University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6840/cycu200600045
張碩(2018)。
Optimization of Spoof Surface Plasmonic Waveguide for Crosstalk Reduction
〔碩士論文,國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU201800400
李薰、江孟學(2010)。
On the Impact of High-κ Gate Dielectric for MOSFETs: Simulation-Based Study
。
國立宜蘭大學工程學刊
,
(6),65-73。https://doi.org/10.6176/BCE.2010.06.17
吳世彬(2011)。
The design and analysis of acoustic diode of one-dimensional structure
〔碩士論文,國立中央大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0031-1903201314414559
國際替代計量
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