摘要
我們利用快速脈衝雷射蒸鍍法（Fast Pulsed Laser Deposition,簡稱FPLD），以氧化鋁（0001）為基板，在其上成長氧化鋅（0001）的單晶薄膜。快速脈衝雷射蒸鍍法使用diode pumped solid-state laser以蒸鍍氧化鋅靶材，並輔以RF atom source補充原子氧。 我們利用X-ray測量結晶品質，氧化鋅(0002)的High resolution rocking curve 可達100 arcsec及ω-scan為 10 arcsec。原子力顯微鏡(AFM)顯示表面粗糙度約為1 nm及結晶區域(grain)約 300 nm×300 nm。其PL光譜顯示出幾乎沒有綠光的缺陷，在10 K時donor-bound exciton的光譜線半高寬可在5 meV以下，並且可看到釵h的精細結構。其霍爾效應量測證明氧化鋅薄膜為n-type，在室溫時，載子濃度約1×1017 cm-3，mobility為30 cm2/Vs。
參考文獻
[1] D. C. Look, Mater. Sci. Eng. B 80, 383 (2001)
[2]陳銘堯,“簡介脈衝雷射蒸鍍法”,物理雙月刊,15卷,5期,P669,1993
[8] Y.Chen,Hang-Ju Ko,Soon-Ku Hong,and Takafumi Yao, Appl. Phys. Lett. 76,559(2000)
[10]林明正,Ca3PbN薄膜的合成及結構,2001,臺灣大學物理學系碩士論文
[15]NT-MDT Co.,Solver Instruction manual
被引用紀錄
Lai, J. H. (2008). N型氧化鋅薄膜之蕭特基接觸 [master's thesis, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU.2008.02232
林榮昭（2007）。利用銅膜和氧化鋁(Al2O3)基板直接反應生成CuAlO2薄膜的研究〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2007.01028
呂佐文（2007）。以快速脈衝雷射成長銦錫氧化物在M面與R面氧化鋁基板的結構與電性探討〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2007.00993
黃彥傑（2006）。以脈衝雷射蒸鍍法生長單晶ITO薄膜〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2006.10258
黃耀德（2006）。氧化鋅奈米粒子光激發光之研究與電激發光元件的製作〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2006.01800
延伸閱讀
- 吳慶泰（2006）。利用脈衝雷射沉積法製備氧化鋅薄膜及特性研究〔碩士論文，國立臺北科技大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6841/NTUT.2006.00098
- 陳彥戎（2014）。脈衝雷射蒸鍍法製備氧化鋅摻鉍薄膜之研究〔碩士論文，國立臺北科技大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6841/NTUT.2014.00930
- 簡志峰（2011）。脈衝雷射蒸鍍法蒸鍍氧化鋅及氧化釓鋅薄膜〔碩士論文，國立臺灣師範大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0021-1610201315262474
- 廖偉男（2013）。電漿輔助脈衝雷射沉積法製作氧化鋅薄膜抗反射鍍膜〔碩士論文，國立暨南國際大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0020-2801201300553400
- Lin, M. C. (2008). 快速脈衝雷射蒸鍍法成長之氧化鋅及其異質接面 [doctoral dissertation, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU.2008.02098