電漿清潔對CMOS封裝銲線強度改善研究

Research in the Strength Improvement of Wire bonding in CMOS by Plasma Cleaning

吳丘文(Chiu-Wen Wu)

指導教授 ： 薛文景

國立臺北科技大學/工程學院/材料及資源工程系研究所/碩士(2012年)

https://doi.org/10.6841/NTUT.2012.00223

摘要

本研究欲將一般IC封裝常用的電漿清洗技術，使用於清潔CMOS封裝中脆弱的影像感測IC，實驗裡除了證明電漿可有效改善CMOS封裝中的銲線強度，並且利用阻隔的檔板遮蔽離子轟擊，使清潔的同時不會造成影像IC的成像異常。
首先經由不同的USG current及Force銲線後的實驗結果得到這些參數對於Ball shear、Wire pull、IMC及經過165℃,72小時烘烤後的影響都是隨之增加而增長， 再來針對IC影像區上有無特殊塗層的IC材料以及另外加擋板阻隔的試片進行電漿實驗，得到CMOS影像區經由特殊塗層或加擋板可有效阻隔電漿的離子轟擊，不會影響CMOS的成像效果，最後驗證電漿清洗後對銲線強度能有明顯的改善。

關鍵字

電漿清洗 ； CMOS ； 銲線製程 ； IC封裝

並列摘要

This study wishing to use the plasma cleaning technology that commonly used in IC packaging to the fragile CMOS IC package. In the experiments, in addition to proof of the plasma can effectively improve the strength of the wire bonding, and use the baffle can shelter from the ion bombardment, when making the pad clean and does not cause abnormal imaging of the image sensor.
From results in the different USG current and force parameters, the ball shear, wire pull, IMC and 165℃-72hr baking data are increase with the parameter growth. Then the experiment that IC cover with or without special coating and add the baffle , the CMOS image through special coatings or baffle can effectively block the plasma ion bombardment and does not affect the imaging results. At the end to proof that the wire bonding strength is significantly improved after the plasma cleaning.

並列關鍵字

Plasma clean ； CMOS ； Wire bond process ； IC Assembly

參考文獻

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