- 學位論文
銅導絲形成的程序要素對於電阻式記憶體特性影響之研究
A Study of Copper Filament Formation Procedural Factors on Switching Characteristics of Resistive Random Access Memory
若您是本文的作者，可授權文章由華藝線上圖書館中協助推廣。
延伸閱讀
- 熊昌鉑（2010）。垂直與水平架構之導電絲電阻記憶元件的製作與導電絲成長暨記憶穩定性機制的探討〔博士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-1901201111405389
- 張景淵（2015）。鐵基超導 鐵-硒-碲 之縱向與橫向霍爾電阻率之研究：釘扎效應與異常電傳輸性質〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2015.10310
- Chen, Y. Y. (2012). 通道截面形狀對多晶矽奈米線非揮發性記憶體元件操作特性影響之研究 [master's thesis, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2012.00496
- 章景舜（2018）。The Study of Effect of Electrolyte on Conductive Bridging Random Access Memory〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-1803201914422026
- 陳昱丞（2010）。Bipolar Switching properties of HfO2 based Resistive Random Access Memory Devices〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-2203201110475306