近年來,人類對於電子產品的需求越來越高,而記憶體成為科技中不可或缺的重要部分,為了追求更卓越的性能,記憶體不斷朝著輕薄短小的高密度尺寸、高速度、低耗能等目標前進。 FLASH 是利用浮動閘 (floating gate)來儲存載子單元,然而其中的穿遂氧化層 (tunneling oxide)卻會影響FLASH的特性,如當FLASH微縮時,可能導致穿遂氧化層 (tunneling oxide)太薄而漏電,使得記憶體記憶能力變差,且讀取方式為破壞性讀取,傷其元件,其他如耐久力和操作速度慢都是FLASH的缺點。 然而電阻式記憶體 (RRAM)製成簡單,且擁有高速率、低耗能、結構簡單化、高操作週期、並且擁有非破壞讀取及非揮發性等多項優勢,所以除了在特性上的突破與改進,在生產成本上亦有相當大的優勢,因此受到學術界及業界等眾多矚目,是目前唯一能與具備低成本競爭力的 NAND 型快閃記憶體對抗的記憶體。 並有機會成為下個世代記憶體的領航者。 本論文主要分為兩部分去探討二氧化鉿 (Hf O2 )在雙極電阻轉換上的現象。 第一部分以濺鍍方式鍍製不同氧通量Hf O2薄膜,並以TiN當下電極,Pt 當上電極形成 Pt/TiO 2 /TiN 的結構。討論元件其電性的改變。 第二部分是以原子層化學氣相沉積系統 (ALD)成長的HfOx薄膜,並在HfOx薄膜上面分別沉積Ti CAP與Zr CAP,再沉積1500Å TaN,並以Pt做為下電極,形 成TaN/ Ti (或Zr) / HfOx / Pt結構的RRAM,進而討論其電特性有何不一樣。