- 學位論文
36奈米動態隨機存取記憶體後段金屬連線鎢栓塞/阻障層製程改善之特性研究
Process Study and Characteristic of Tungsten Plug and Barrier Layer of 36 nm DDR DRAM Metallization
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並列摘要
延伸閱讀
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- Yang, H. I. (2011). 高可靠度奈米級靜態隨機存取記憶體設計： 可靠度分析與改善技術 [doctoral dissertation, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2011.01002
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