鐵酸鉍鐵電薄膜/鈦酸鍶鋇絕緣層/矽(MFIS)之特性

葉家修(Chia-Shiu Yeh)

指導教授 ： 吳振名

國立清華大學/工學院/材料科學工程學系/碩士(2008年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2008.00229

摘要

摘要
隨著科技化時代的來臨，人類對於可攜式電子產品的需求越來越大，因此記憶體的演進受到廣大研究團隊的注目。其中鐵電記憶體屬於相當有發展潛力的一種非揮發性記憶體，隨著高積體密度、產品尺寸縮小化的影響，以MFIS場效電晶體作為主要結構的鐵電記憶體受到重視，此結構屬於非揮發性記憶體，具有高耐久度、低能耗，以及操作快速的特性，因此眾多候選材料皆不斷的被投入研究中，並針對其特性做研究分析。本實驗採用射頻磁控濺鍍法(rf-sputtering)在p-type矽基板上鍍製鈦酸鉛鋇絕緣層薄膜，並在其上再鍍製一層鐵酸鉍鐵鐵電薄膜，並藉由不同的熱處理溫度來改變其MFIS結構的記憶特性，希望藉此得到最佳的處理條件。在我們的實驗中，我們發現在經過攝氏五百度的氧氣氛熱處理後，可以使得記憶視窗有大幅的成長，可在±12V的掃描偏壓內得到約6.18V的記憶視窗值，原因在於此種熱處理條件可以使得氧化層與矽基板介面處的載子濃度降低約一個次方。而未來如能進一步掌握熱處理的細部參數，相信可以使得記憶特性有更進一步的成長。

關鍵字

鐵酸鉍 ； 鈦酸鍶鋇 ； 記憶效應

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