鐠鈣錳氧薄膜於電阻式記憶體之研究

Study on (Pr,Ca)MnO3 Thin Films for Nonvolatile Resistance Random Access Memory Application

吳政緯(Wu Cheng-Wei)

指導教授 ： 吳泰伯

國立清華大學/工學院/材料科學工程學系/碩士(2007年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2007.00254

摘要

電阻式記憶體是屬於電壓驅動，且操作電壓小、具有超高密度潛力、讀/寫速度快、結構簡單化、可多位元記憶、耐久性佳、記憶元件面積縮小及非破壞性讀取等優點，並且擁有低成本的競爭力，缺點是目前電阻轉換機制仍舊不明確，因此對於材料的掌握度不足，但其發展潛力深受市場矚目，現已成為業界不少公司的研究重點。 本論文的方向主要集中在探討鐠鈣錳氧（PCMO）薄膜厚度與鐠鈣錳氧薄膜性質對電阻轉換效應(Resistance Switching Effect， Rhigh/RLow )的影響性。並藉由熱處理，希望能進一步改善電阻轉換效應，從中並試圖了解電阻轉換效應的工作機制來源。 改變鐠鈣錳氧薄膜厚度對於電阻轉換效率並無顯著幫助；然而，施以適當的熱處理時，電阻轉換效應能夠明顯提升。研究最後發現電阻轉換效應的產生，推測與鐠鈣錳氧薄膜之Mn+4/Mn+3比值有關。

關鍵字

記憶體 ； 電阻 ； 鐠鈣錳氧 ； 鎳酸鑭

並列摘要

無資料

並列關鍵字

memory ； resistance ； PrCaMnO3 ； LaNiO3

參考文獻

1. 簡昭欣、呂正傑、陳志遠、張茂男、許世祿、趙天生，“先進記憶體簡介”，國研科技創刊號，2004年。

記憶體技術”，台灣區電機電子工業同業公會，2006年。

10. W. W. Zhuang, W. Pan, B. D. Ulrich, J. J. Lee, L. Stecker, A. Burmaster, D. R. Evans, S. T. Hus, M. Tajiri, A. Shimaoka, K. Inoue, T. Naka, N. Awaya, K. Sakiyama, Y. Wang, S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, in IEDM Tech. Dig. 193 (2002).

12. Y. Tokura and Y. Tomioka, J. Magn. Magn. Mater. 200, 1 (1999).

21. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J. S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5665~5667, 2004.