- 學位論文
電荷汲引技術在4H碳化矽溝槽式閘極金氧半場效電晶體之應用
Characterization of Trench-Gate MOSFET in 4H-SiC Using Charge-Pumping Technique
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延伸閱讀
- 陳亭任（2011）。橫向高電壓4H-SiC Double RESURF金氧半場效電晶體設計與製作〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0805201213342116
- Wu, T. Y. (2010). 電荷汲取技術於多晶矽薄膜電晶體及n型鍺通道金氧半場效電晶體之研究 [master's thesis, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU.2010.10642
- 阮敦寶（2014）。電荷汲引技術應用於金氧半元件之界面層電特性量測研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2014.00376
- 林定弘（2010）。DEVELOPMENT OF NANO PROBING AND PASSIVE VOLTAGE CONTRAST TECHNIQUES FOR THE FAILURE ANALYSIS OF MOSFET〔碩士論文，國立交通大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6842/NCTU.2010.01055
- 楊安凱（2011）。Dielectric Measurement Technique using Defected-ground Resonant Circuits〔碩士論文，國立中央大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0031-1903201314415036