本實驗利用微波輔助化學氣相沉積法﹙microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition;MPECVD﹚成長氮摻雜超奈米晶鑽石膜﹙nitrogen-doped ultrananocrystalline diamond films; N-doped UNCD﹚,並使用光放射光譜儀﹙Optical emission spectra;OES﹚即時監測電漿物種,發現當壓力增加、試片載台高度在最佳的位置﹙4 cm;試片相對於腔體狹縫的距離﹚及通入氮氣含量增加時,C2/CN峰值比將減少。C2為UNCD的重要物種,當其比例減少時,將有可能導致鑽石膜的缺陷增多與sp2 C-C鍵結增加。分別利用拉曼與掃描式電子顯微鏡﹙scanning electron microscopy;SEM﹚分析不同參數沉積出來的鑽石膜,驗證隨著C2/CN峰值比減少,sp2 C-C鍵結有增加的趨勢。將氮氣含量分別為0、10和25 % 的N-doped UNCD作高解析度穿透式電子顯微鏡﹙high-resolution transmission electron micrographs;HRTEM﹚分析,發現當隨著氮氣含量增加 (3.4–25 %),鑽石晶粒有聚集在一起的趨勢,當N2=25 %時形成鑽石奈米線,且sp2 C-C鍵結層包覆著鑽石奈米線,推測此現象為提升N-doped UNCD導電度的原因。最後使用電化學方法進行分析,討論N-doped UNCD應用在電極的可能性。