- 學位論文
增強型閘極掘入式氮化鋁鎵/氮化鎵金氧半高電子遷移率電晶體之研製
Fabrication and Characterization of Enhancement-Mode Recessed-Gate AlGaN/GaN MOS-HEMTs
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延伸閱讀
- Chen, Y. C. (2009). 利用閘極掘入方式製作增強型高截止電壓氮化鋁鎵/氮化鎵/氮化鋁鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之研究 [master's thesis, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2009.00813
- Weng, K. L. (2015). 增強型氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之臨界電壓模擬研究 [master's thesis, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2015.00861
- Fu, C. S. (2016). 具有不同閘極結構之增強型氮化鋁鎵/氮化鋁/氮化鎵異質結構場效電晶體之研製 [master's thesis, Feng Chia University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6341/fcu.M0301899
- Yang, J. Y. (2022). 短閘極場效電板增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體製作與電流特性分析 [master's thesis, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU202200208
- 蕭琮介（2013）。Fabrication and Characterization of Enhancement-mode p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2013.00059