透過您的圖書館登入
IP:18.223.205.84
  • 學位論文

鍺摻雜二氧化鉿之鐵電環繞式閘極鍺堆疊奈米線通道場效電晶體研究

Study of Ge doped HfO2 Ferroelectric Gate-all-around Ge Stacked-Nanowire Field-Effect-Transistor

指導教授 : 吳永俊 林育賢
本文將於2024/08/31開放下載。若您希望在開放下載時收到通知,可將文章加入收藏

摘要


摘要隱藏中

並列摘要


abstract hide

參考文獻


參考文獻隱藏中

延伸閱讀