Characteristic Analysis of Quasi Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

準垂直型雙擴散金氧半場效電晶體特性分析

曾富群(Fu-Chun Tseng)

指導教授 ： 龔正 ； 黃智方

國立清華大學/其它/半導體元件及製程產業研發碩士專班/碩士(2010年)

摘要

Chinese Abstract
　　根據2D軟體模擬的結果並參考相關XtreMOSTM文獻，我們可以知道經過設計和最佳化的準垂直型雙擴散金氧半場效電晶體的確有高崩潰電壓的承受能力（97.89 V）、低特徵導通電阻（107.64 mΩ x mm2）以及小尺寸（28.2 x 1.0 μm2）等特性。此外，我們也提出了全新可以相匹配的準垂直型雙擴散金氧半場效電晶體（崩潰電壓為99.64 V、特徵導通電阻為120.90 mΩ x mm2以及尺寸為28.0 x 1.0 μm2）。此篇論文主要研究了準垂直型雙擴散金氧半場效電晶體內部的各個結構尺寸或濃度變化對崩潰電壓和特徵導通電阻的影響。可提供後繼研究者的一個參考。

關鍵字

準垂直 ； 雙擴散 ； 金氧半場效電晶體

並列摘要

English Abstract
In this thesis computer aided simulation tools are used to design a Quasi Vertical Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (QVDMOSFET). The proposed new structure QVDMOSFET has breakdown voltage BVOFF = 99.64 V ; specific turn-on resistance RON,SP = 120.90 mΩ x mm2; and area size = 28.0 x 1μm2) . This thesis provides the research results of structural effect influence on BVOFF and RON,SP in QVDMOSFET.

並列關鍵字

QVDMOS ； QVDMOSFET ； quasi vertical

參考文獻

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