MOCVD沉積氧化鋅薄膜在N-Si(100)基板上之特性分析

Characteristic Analysis of ZnO Thin Films on N-Si(100) Substrates Grown by MOCVD

許能傑(Neng-Jye Hsu) ； 張家瑋(Chia-Wei Chang)

《中華技術學院學報》 38期 (2008/06) Pp. 55-64

https://doi.org/10.7095/JCIT.200806.0055

摘要

本實驗室單片垂直式MOCVD是使用美國FLUENT公司的Fluent 6.1軟體模擬分析並已開發實體完成。本研究目的開發高品質氧化鋅薄膜製程，搭配使用Zn (TMHD)2為先驅物，並以氧氣為反應氣體及氬氣為載流氣體在N-Si (100)基板上沉積氧化鋅薄膜。使用掃描式電子顯微鏡，霍爾量測設備，光學薄膜測厚儀光激發光光譜儀，X光繞射儀。將上述量測與分析探討載流與反應氣體流量比例及基座溫度和工作壓力對於影響沉積速率、薄膜品質、晶格方向、薄膜厚度、表面形貌與電性之間的關連性，以達到薄膜表面的最佳特性。

關鍵字

氧化鋅 ； 金屬有機化學氣相沉積 ； 磊晶 ； 先驅物

並列摘要

In this study, we develop a high-quality ZnO thin-film manufacturing procedure, using Zn (TMHD)2 as precursor, oxygen as reacting gas and argon as carrier gas, to deposite ZnO thin films on an N-Si (100) substrates. A home-made single-wafer vertical MOCVD system is used. The results are characterized by scanning electronic microscope (SEM), Hall effect measurement, photoluminescence (PL), and X-ray diffraction (XRD) to study the ZnO thin films quality.

並列關鍵字

ZnO ； MOCVD ； Epitaxy ； Zn TMHD 2