高品質氮化鎵基板之製作方法

The Manufacture Method of High Quality Gan Substrate

劉柏均(Po-Chun Liu) ； 蔡政達(Jenq-Dar Tsay) ； 趙主立(Chu-Li Chao) ； 黃信雄(Hsin-Hsiung Huang) ； 紀東煒(Tung-Wei Chi) ； 郭義德(Y. D. Guo) ； 葉瑞琴(R. C. Yeh) ； 郭浩中(Hao-Chung Kuo)

《光學工程》 102期 (2008/08) Pp. 36-50

https://doi.org/10.30011/OE.200808.0004

摘要

目前台灣光電半導體產業在氮化鎵材料相關元件研發重心已從藍綠光發光二極體轉移至近紫外光發光二極體(~400nm)，開發高品質GaN基板的製作，以運用於Deep UV LED是急迫須要。本文將利用圖形製作遮罩，搭配磊晶側向成長之方法，克服GaN厚膜成長時所面臨的難題，以開發高品質、低缺陷之大尺寸氮化鎵基板製作方法。

關鍵字

氮化鎵 ； 發光二極體

並列摘要

Recently, the focus of GaN LEDs has been changed from the blue light to the UV light (~400nm). Therefore, the fabrication of high quality GaN substrates is the main issue for making Deep UV LEDs. This study is to develop large high-quality GaN substrate.

並列關鍵字

GaN ； LED