透過您的圖書館登入
IP:3.138.174.95
  • 期刊

以溶膠凝膠法於矽基板上製作二氧化鋯導光薄膜

The ZrO2/Si Optical Thin Film Prepared by SOL-GEL Method

摘要


本文以溶膠凝膠法製作ZrO2導光薄膜於矽(Si)基板上可應用在以矽為基板的光通訊、生醫檢測、微機電、光子晶體等領域。 因矽藏量豐富、能承受較高的操作溫度和較大的雜質摻雜範圍,故適合作基材。以ZrO2/Si作導光薄膜論文研究過[16],但研究論文不多;然而以ZnO/Si作導光薄較多人研究。相較於ZnO/Si, ZrO2/Si 有許多優點:如在可見光區具有高穿透性,高折射率。在紫外光區可被紫外光激發,且可被紫外光激發出強的藍綠色螢光;此外ZrO2成本低廉、没有毒性、高的化學穩定性、高的介電質特性。 ZrO2薄膜可用很多種方法製作:如化學氣相沉積徵鍍膜、雷射鍍膜、RF鍍膜等。但以本文使用的溶膠凝膠方法製作成本最低,且可作成大面積成品。本文先用zirconium propoxide、acetic acid及acetylacetone三種溶液組成溶膠凝膠,再用旋轉塗佈的方法把混合溶液塗佈在矽基板上以製作成ZrO2/Si導光薄膜。本論文研究不同濃度配方的溶膠凝膠來製備ZrO2/Si導光薄膜,並對其導光效率作分析比較。結果顯示Zirconium propoxide的濃度為0.2mole時的ZrO2/Si導光薄膜光穿透率約是87%;較優於其它樣品的光穿透率且光穿透率約是2倍於SiO2/Si導光薄膜。

並列摘要


The Zirconia films on silicon substrate (ZrO2/Si) were fabricated by sol-gel spin coating method, using zirconium prop oxide Zr(OPr)4 as a precursor and then sintering at different temperatures. The optical transmittance spectra of the ZrO2/Si film show a superior transmittance about 87% at red light wavelength.

並列關鍵字

ZrO2/Si Optical Thin Film

參考文獻


J. F. Verwey.(1973).Nonavalanche injection of hot carriers into SiO2.J. Appl. Phys.44,2681-1973.
T. H. Ning,H. N. Yu.(1974).Optically induced injection of hot electrons into SiO2.J. Appl. Phys..45,5373.
A. V. Schwerin,M. M. Heyns,W. Weber.(1990).Investigation on the oxide field dependence of hole trapping and interface state generation in SiO2 Layers using homogeneous nonavalanche injection of holes.J. Appl. Phys..67,7595.
S. M. Sze(1981).Physics of semiconductor Devices.New York:Wiley.
B. E. Deal(1980).Standardized Terminology for Oxide Charge Associated with Thermally Oxidized Silicon.(IEEE trans. Electron Devices, ED-27).

延伸閱讀