摘要
我們在全氧的環境下於GaAs 基板上，濺鍍磷摻雜的氧化鋅薄膜，並於之後做RTA處理於800度3 分鐘，成功成長出了P型氧化鋅薄膜，其電阻為0.00096Ω-cm，而電洞濃度達到 2.244 cm-3。並由XPS的分析，推測會形成這樣的結果，主要是因為氧化鋅內部產生 -2 的受體缺陷，並讓參與其中的磷，因為砷元素的摻雜，改變了氧化鋅晶格的結構 -2 的受體缺陷。並與鎵形成acceptor-donor-acceptor 鍵結對，導致電洞濃度的上升，並提昇了P型氧化鋅的材料特性。
關鍵字
p型氧化鋅並列摘要
We successfully fabricate a P-doped ZnO thin film on the GaAs substrate at O2 ambient. And then we apply the post annealing process in 800℃ with in 3 minutes.The resistivity of the film is 0.00096Ω-cm and the hole concentration is 2.244×1020 cm-3. The p-type film exits the acceptor-like complexes of AsZn-2VZn. The structure of the ZnO film has been changed due to the As doped. It helps P-doped to increase the PZn-2VZn complexes. The P-dopant and the Ga-dopant in the ZnO film form the acceptor-donor-acceptor complexes and the hole concentration will be inceased and promote the property of p-type ZnO film.
並列關鍵字
p-type ZnO參考文獻
延伸閱讀
- 陳為峰、吳石乙（2007）。無機型電致色變材料與氧化鎳。化工，54(2)，61-69。https://doi.org/10.29803/CE.200704.0008
- 馬鑫壽（1967）。氧化作用對高分子聚合物初期劣變影響之研究。化學，(56年4)，105-112。https://doi.org/10.6623/chem.1967021
- 陳俊瑋（2005）。(R0.5A0.5)BO3 (R = Gd, Yb; A = Ca, Sr; B = Mn, Ti or A = Ce, Th; B = Ni)氧化物的結構與特性研究〔碩士論文，淡江大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6846/TKU.2005.00782
- 劉俊源（2022）。Optimizing Production Efficiency Based on TRIZ Theory〔碩士論文，中原大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6840/cycu202201499
- Zeng, Q. P., & Zhong, H. J. (2012). A Note on Property (g^b) and Perturbations. Abstract and Applied Analysis, 2012(), 1436-1445-396. https://doi.org/10.1155/2012/523986