氣體阻障層結構沉積在圖案化基材表面階梯覆蓋性之研究

A study on the step coverage of a gas barrier structure deposited onto the patterned substrate

劉華文(Hua-Wen Liu) ； 陳泰宏(Tai-Hong Chen) ； 張鈞豪(Jin-How Chang) ； 徐若名(Ruo-Ming Xu) ； 黃聖博(Sheng-Bo Huang) ； 陳志強(Jhih-Ciang Chen) ； 陳信嘉(Xin-Jia Chen) ； 陳順祺(Shun-Chi Chen) ； 劉代山(Day-Shan Liu)

《真空科技》 29卷4期 (2016/12) Pp. 46-54

摘要

本研究利用電漿增強化學氣相沉積系統，以四甲基矽烷單體以及四甲基矽烷- 氨氣- 與氧氣混合氣體為源氣體，分別在具有圖案化光阻之塑膠基板表面沉積單層有機矽基、氮氧化矽薄膜以及多對有機矽基/ 氮氧化矽氣體阻障層結構，利用掃描式電子顯微鏡觀察氣體阻障層結構對於圖案化光阻的階梯覆蓋性，並分析結構覆蓋性對於試片水氣滲透率的影響。研究結果顯示，氣體阻障層結構沉積在圖案化光阻上的側壁與底部階梯覆蓋率，隨著薄膜厚度增加有逐漸下降的趨勢，因此，劣化氣體阻障層結構沉積在具有圖案化表面之塑膠基板上的水氣阻障能力。

關鍵字

圖案化光阻 ； 電漿增強化學氣相沉積 ； 氣體阻障層結構 ； 階梯覆蓋率 ； 水氣滲透率

並列摘要

Single organosilicon and silicon oxynitride, and pairs of organosilicon/silicon oxynitride gas barrier structures were respectively deposited onto the plastic substrate with patterned photoresist by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system, using the tetramethylsilane (TMS) monomer and TMS-oxygen-ammonia gaseous mixture. The step coverage of these barrier structures on the patterned photoresist were investigated using a scanning electron microscopy. The evolution on the resulting water vapor transmission rate (WVTR) influenced by the step coverage of these barrier structures were studied. The results showed that the degradation on the resulting barrier property to water vapor permeation was deeply relevant to the decrease in the step coverage of the barrier structure deposited onto the plastic substrate with patterned photoresist.

並列關鍵字

Patterned Photoresist ； Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition ； Gas Barrier Structure ； Step Coverage ； Water Vapor Transmission rate