利用溶膠凝膠法製作用於氮化鎵發光二極體之氧化鋅緩衝層

GaN blue light-emitting diodes with ZnO nucleation layers prepared by the sol-gel method

張倍榕(Pai-Rong Cheng)

指導教授 ： 陳隆建

國立臺北科技大學/電資學院/光電工程系研究所/碩士(2007年)

https://doi.org/10.6841/NTUT.2007.00034

摘要

本論文係利用溶膠-凝膠法來進行ZnO薄膜成長，接著設計不同溶質、不同莫耳比例、以及不同氣體環境等參數，成長於藍寶石基板上，並對其光、電特性作研究。其後並研究氧化鋅在製程二利用氯化鋅來作為溶質時，有最佳的晶格結構和電特性；而製程一利用醋酸鋅作為溶質，在不同氣體環境下，通入氧氣加壓相較其他氣體環境，有最佳的薄膜品質。
由於製程二的氧化鋅薄膜無法將其打薄，因此利用製程二之溶膠凝膠法將氧化鋅(ZnO)層成長在藍寶石基板上，當作緩衝層。然後，再利用MOCVD法在ZnO層上成長GaN藍光發光二極體。在10 V的反向偏壓下，約只有2.33

關鍵字

溶膠凝膠法 ； 氧化鋅 ； 氮化鎵

並列摘要

GaN blue light-emitting diodes (LEDs) on sapphire substrate with a ZnO nucleation layer that was deposited by the sol-gel method were fabricated. Typical current-voltage (I-V) characteristics of the GaN blue LEDs with a ZnO nucleation layer have a forward-bias voltage of 3.25 V at an injection current of 20 mA, and reverse currents of 4.53×10-9 and 6.32×10-8 A at reverse biases of 10 and 20 V, respectively. The InGaN blue LEDs have an ideality factor n of 1.27 at a forward bias of 1.8 V. The external quantum efficiency at an injection current of 20 mA was measured to be 12.82 %. The light output power reached as high as 23.2 mW at a forward current of 100 mA.

並列關鍵字

sol-gel method ； ZnO ； GaN

參考文獻

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