- 學位論文
高效能雙通道抬升式源汲極複晶矽薄膜電晶體汲極不同輕摻雜之設計模擬與分析
Simulation and Analysis of High Performance Double-Channel Poly-Silicon Thin Film Transistor with RSD and Different Doping LDD Design
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延伸閱讀
- 范凱棋（2019）。不同結構之雙通道抬升式源汲極複晶矽薄膜電晶體之設計模擬與分析〔碩士論文，逢甲大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6341/fcu.M0623687
- Wu, T. Y. (2010). 電荷汲取技術於多晶矽薄膜電晶體及n型鍺通道金氧半場效電晶體之研究 [master's thesis, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342/NTU.2010.10642
- 張立成（2013）。砷化銦鎵量子井金氧半場效電晶體－利用抬昇式源/汲極結構和超薄介電層之嵌入達到源/汲極阻值的降低〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2013.11077
- 吳孟源（2019）。溝槽式分離閘極功率金氧半場效電晶體結構及其結構概念設計超高崩潰耐壓複晶矽薄膜電晶體〔碩士論文，逢甲大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6341/fcu.M0623524
- 林嵩鈞（2005）。Analysis of Capacitance Behavior in Polysilicon thin film transistor Devices simulation〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2005.01567