- 學位論文
溝槽式分離閘極功率金氧半場效電晶體之三層磊晶層設計與利用等電位汲極改善扭結效應之雙閘極複晶矽薄膜電晶體設計
Design of Split-Gate Trench Power MOSFET with Triple EPI and a Double Gate Poly-Si Thin Film Transistor Design by Adding a Equipotential Drain to Reduce Kink Effect
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延伸閱讀
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- 陳坤意、陳昱勳、陳慶育、卓政霖、謝靖恆、吳永俊、張廖貴術、巫勇賢（2016）。以堆疊式閘極介電層實現具有優異電流趨動能力與可靠度之高效能鰭式電晶體。國家奈米元件實驗室奈米通訊，23(2)，2-8。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=1029502x-201606-201606130008-201606130008-2-8
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- 游程皓（2015）。新式雙閘極結合多閘極並抬升式源汲極複晶矽薄膜電晶體之設計〔碩士論文，逢甲大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6341/fcu.M0203899
- 趙柏鈞（2009）。Fabrication and Characterization of 4H-SiC MOSFET with Al2O3 gate insulator and 4H-SiC Trench-Field-Plate Schottky Barrier Diode〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-2705201013403406