本論文將光電元件整合在矽基板上,在SOI基板上製作PN接面之矽微環形共振腔,利用偏壓使PN接面之矽微環形共振腔的載子濃度改變,利用自由載子色散效應達到調變光訊號的效果,並且將元件架構上將橫截面縮小,以提升其操作速度以及減少消耗功率。本論文中針對佈植模擬分析、水平PN接面結構製程、垂直PN接面結構製程,詳細的敘述其製程流程、電性量測,並對製程參數的選擇做詳細說明。元件製作使用國家奈米實驗室CMOS標準製程。根據電性量測結果推得元件操作速度可達20GHZ(理論值),在無阻抗匹配情況下,50%以上的功率可輸入至元件。