本篇論文中使用非對稱p/n接面來製作矽微環形電光調變器;利用p/n接面尺寸上的非對稱,將光模態限制在p型單晶矽部份,使得模態具有較小的等效模態損失係數且在電性上具有較大的載子遷移率。論文中使用國家奈米元件實驗室之COMS點35製程,製程共11道光罩,製作非對稱p/n接面之矽微環形電光調變器,並在製作完成時,以聚焦離子束技術來觀測元件橫截面,以檢驗製程。元件完成後,藉由IV、CV量測,以討論非對稱p/n接面特性、元件寄生電容、元件串聯電阻等…影響,並透過網路分析儀量測分析,元件操作速度可達30GHz,有達成高速的目標。