- 學位論文
以閘極工程改善n型鍺金氧半電晶體之電性研究
Improved Electrical Characteristics of Ge nMOSFET by Gate Stack Engineering
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Ge ； Ge nMOSFET ； Gate Stack Engineering ； Interface Engineering ； improve Ge n+/p junction ； Hf3N4延伸閱讀
- Chien, L. C. (2016). 高介電係數閘極氧化層與矽鍺、鍺通道之介面工程應用於金氧半電晶體之製程研究 [doctoral dissertation, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-2309201616093329
- 莊惠淇（2007）。利用閘堆疊式介電層及界面工程加強金氧半元件電性之研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2007.00225
- 吳龢峻（2009）。高壓N型金氧半電晶體對於源極與基極佈局參數對靜電放電特性的研究〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2009.02278
- 林可淳（2008）。利用電導-電壓及矽的電激發光量測研究N型鍺量子點金氧半結構之介面缺陷特性〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2008.00341
- 吳旻霖（2008）。Fabrication of High-Performance Ge MOSFET on Si Substrate〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-2002201314373802