互補式金屬氧化半導體 (Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)半導體製程在台灣已是成熟的技術平台,利用CMOS平台發展出相關元件,例如光學微機電系統,有逐步增加的趨勢。透過CMOS-MEMS平台,製作光學微結構晶片,不僅可以利用半導體製程本身可縮小線寬和堆疊的結構,使其提高其附加價值,因此,CMOS技術之發展重要性越來越大。 本研究欲利用TSMC 0.35μm 2P4M CMOS標準製程設計Fabry-Perot干涉元件,利用二氧化矽層當作結構層,金屬層當作犧牲層,透過濕式蝕刻方式來實現微光機結構,本設計主要優點有兩項:(1)利用製程平台的蝕刻金屬層當作Fabry-Perot共振腔,Fabry-Perot共振腔穩定度高 (2)搭配致動器製作可動式Fabry-Perot 干涉元件,調變Fabry-Perot共振腔長度。量測結果驗證反射光的共振干涉波長,並藉由外部致動器調整其共振腔長度。 關鍵字:互補式金屬氧化物半導體,Fabry-Perot