鉻摻雜P型氮化鎵稀磁半導體之研究

The study of Cr doped P-GaN Diluted Magnetic Semiconductor

徐浩迪(Hao-Di Hsu)

指導教授 ： 開執中 ； 陳福榮

國立清華大學/原子科學院/工程與系統科學系/碩士(2008年)

https://doi.org/10.6843/NTHU.2008.00432

摘要

摘要    本實驗最主要就是利用離子佈植法來有效的製備氮化鎵稀磁半導體，利用這一簡單且快速的方法我們可以大量的製備稀磁半導體。    本實驗是以往的實驗中，在鍍有氮化矽的氮化鎵佈植鉻1x1016＃/cm2、3x1016＃/cm2  分別以700、800℃退火五分鐘，雖然鐵磁的訊號都不錯但是電阻方面就很差，在霍爾效應量測時訊號都極不穩定的亂跳，所以我進行了下列的改善：1.    將佈植的劑量的降低，分別為1x1016＃/cm2、2x1016＃/cm2，換算為原子的百分比為1at％、2at％。2.    將退火溫度提高，我們分別增加了900、1100℃退火溫度，並將退火溫度降低避免第二相的析出。後續的實驗中我們用穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy）、超導量子干涉磁量儀（Superconducting Quantum Interference Device ,SQUID）、霍爾效應量測系統。    在電子顯微鏡的分析下，所有的退火溫度均沒有發現第二相、析出物的產生，磁性的表現可以很明顯的看見鐵磁的訊號，居里溫度也是可以到達室溫。霍爾量測方面，雖然有效的降低電阻但是卻沒有發現異常霍爾效應，只有一般的霍爾效應。

關鍵字

稀磁半導體 ； 氮化鎵

並列摘要

HASH(0x1bb7b8b0)

並列關鍵字

Diluted Magnetic Semiconductor ； GaN

參考文獻

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