P型浮動閘極的N通道分離閘快閃記憶體之可靠性研究

A Reliability Study of P-Type Floating Gate in N-Channel Split-Gate Embedded Flash Memory

康安祺(An-Chi Kang)

指導教授 ： 林崇榮 ； 金雅琴

國立清華大學/電機資訊學院/電子工程研究所/碩士(2010年)

摘要

本篇論文中，我們利用不同的浮動閘極材料來改善元件特性的想法，提出P型浮動閘極N通道的分離閘快閃式記憶體 (Split Gate Flash Memory)，將浮動閘極之摻雜由N型改為P型，與傳統的N型浮動閘極元件相比較，P型浮動閘極元件擁有較低的寫入偏壓、較快的寫入/抹除 (Program/Erase) 速度與可靠性，較大的操作區間 (Operation Window)、以及較佳的耐久度 (Endurance)。本論文深入探討P摻雜浮動閘極分離閘快閃式記憶體可靠性問題，其中包含：操作耐久性 (Endurance)，抗擾動能力 (Disturbance) 及資料保存能力 (Data Retention) 等特性，並成功的達成了在高可靠度分離閘快閃式記憶體的應用。

關鍵字

Reliability

參考文獻

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