C59N摻雜C60的多晶薄膜之成長與場發射量测

Growth and field emission properties of C59N doped C60 polycrystalline films

沈文維(Wan-Wen Shang)

指導教授 ： 邱寬城

中原大學/理學院/應用物理研究所/碩士(2005年)

https://doi.org/10.6840/cycu200500325

摘要

本文利用電弧放電法，實驗中通入固定氣體流量比的氦氣和氮氣，來合成C59N摻雜的C60粉末。將此粉末藉由過濾萃取與管柱液相層析法純化，再利用垂直式的高溫爐成長具有場發射性質的多晶薄膜， C60的多晶薄膜提供效能良好的場發射增強因子（β: 600~9900）和起始電場為 (ETH : 0.63~3.08 V /μm )，再探討C59N摻雜的C60粉末對場發射性質的影響。

關鍵字

場發射量测 ； C59N

並列摘要

By using a dc-arc furnace with a flow of mixture of nitrogen and helium gases, heterofullerenes C59N can be synthesized. The powder made by extraction and column liquid chromatography. Field emission properties of polycrystalline films obtained by physical vapor deposition . The features of C60 polycrystalline films exhibit a strong effect on field enhancement (β: 600~9900 ) which results in a low threshold field ( ETH : 0.63~3.08 V/μm ) defined at the beginning of emission, and heterofullerenes C59N as an emitter material has been demonstrated.

並列關鍵字

C59N ； field emission

參考文獻

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