碘化汞多晶薄膜之介電常數與熱誘發電流的量測

Dielectric Constant and Thermally Stimulated Current Measurement for α-HgI2 Polycrystalline Films

徐躍滄(Yue-Cang Syu)

指導教授 ： 邱寬城

中原大學/理學院/應用物理研究所/碩士(2006年)

https://doi.org/10.6840/cycu200600628

摘要

本實驗利用油浴爐成長系統，以物理汽相沉積法( PVD )，並藉由控制粉末端和基板端的溫度，以成長α相碘化汞多晶薄膜。利用掃瞄式電子顯微鏡( SEM )與X-ray繞射( XRD )實驗來探討薄膜的表面形貌與結晶度。在電性量測方面，利用精密分析儀來量測α相碘化汞多晶薄膜的電阻率與介電常數。另外，由熱誘發電流( TSC )量測來分析α相碘化汞多晶薄膜的載子捕捉能階和捕捉機制。

關鍵字

熱誘發電流 ； 介電常數

並列摘要

In this study, by controlling the temperatures of the source powder side and of the substrate side in bath furnace, α-HgI2 polycrystalline films are prepared by physical vapor deposition. The surface morphology and the degree of crystallinity of the as-grown α-HgI2 polycrystalline films are characterized by scanning electron microscopy and X-ray diffraction, respectively. For electrical properties, resistivity and dielectric constant measurements by Precision Component Analyzer. Furthermore, thermally stimulated current measurements are performed to reveal the characters of deep-trapping levels.

並列關鍵字

thermally simulated current ； dielectric constant

參考文獻

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