碳六十多晶薄膜電性及XRD量測

Electrical and XRD Characterization of C60 Films

鄭力太(Li-Tai Cheng)

指導教授 ： 邱寬城

中原大學/理學院/應用物理研究所/碩士(2006年)

https://doi.org/10.6840/cycu200600632

摘要

本文所探討的碳六十多晶薄膜是利用物理汽相沉積法，在一垂直腔體所成長出來的樣品。經由改變基板溫度Tsub 和粉末溫度Tsou；樣品以 X 光繞射儀所呈現的峰值可區分為兩大類。此外，對於C60/Au的異質界面，其起始電壓約為0.15-0.25 V。至於電容量測部分，我們觀察到電容值會隨著所給偏壓的不同而改變(順偏壓或逆偏壓) 。

關鍵字

非對稱 ； 碳六十 ； 蕭特基接面 ； 電容

並列摘要

This work examines the properties of C60 polycrystalline films by physical vapor deposition in a vertical chamber. By varying the substrate temperature Tsub and source temperature Tsou, the as-deposited films are grouped into two types, according to the peaks of X-ray diffraction (XRD). Moreover, the turn-on voltage of C60/Au heterojunction lies in the range 0.15-0.25 V. For capacitance measurement, we have observed that the capacitance was varied due to the applied voltage (forward bias or reverse bias).

並列關鍵字

Capacitance ； Asymmetric ； C60 ； Schottky junctions

參考文獻

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