本實驗利用射頻磁控濺鍍系統於石英玻璃沉積銅鑭氧化物薄膜,藉由改變退火條件,探討其對銅鑭氧化物薄膜之性質影響。 實驗結果顯示,使用快速熱退火,退火氣氛為氮氣環境下,在退火溫度為700 ℃時,相為完全的CuLa2O4相;在退火溫度為800℃,相開始由CuLa2O4相轉變為CuLaO2相;在退火溫度927 ℃時, 得到了較強(012)繞射峰的CuLaO2相。 退火溫度為800℃時,退火氣氛為氮氣環境下,電阻率大幅上升,我們推測可能是因為退火溫度為800℃時,相開始由CuLa2O4相轉變為CuLaO2相,才會導致電阻率大幅升高。 在退火溫度927 ℃時,退火氣氛為氮氣環境下,得到了最佳可見光平均穿透率為63.35%及最佳之Figure of merit為3.92×〖10〗^10,從此可得知此實驗參數有最佳之光電性質之薄膜。