摘要
此篇文章將介紹國家奈米元件實驗室(NDL)利用開發多年之低溫、低成本、高品質之矽薄膜技術，發展可撓式矽薄膜太陽能電池。本團隊目前已成功的利用高密度電漿化學氣相沉積(HDP-CVD)成長出各類型的矽薄膜，如：非晶矽(a-Si)、微晶矽(μc-Si)、微晶矽鍺(μc-SiGe)等具不同能隙的材料。而以高密度電漿技術所製作的單接面非晶矽太陽能電池，在製成溫度200℃(135℃)的條件下，轉換效率可達9.6%(4.1%)。對薄膜太陽能電池的薄膜成長、製程整合及分析皆有相當的基礎。這些低的熱預算、高導電性和高沉積速率薄膜技術開啟了高效率可撓式多接面SiGeC太陽能電池的可行性。
被引用紀錄
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延伸閱讀
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