奈米結構金氧矽發光二極體之特性研究

Metal-Oxide-Silicon Light Emitting Diodes with Nano-structures

蘇亭偉(Ting-Wei Su) ； 林清富(Ching-Fuh Lin)

《光學工程》 81期 (2003/03) Pp. 69-76

https://doi.org/10.30011/OE.200303.0008

摘要

本文的目的，在於發展以矽為基礎，能和現有矽電子元件整合在同一晶片上的光源，所使用的方法為利用氧化層上的奈米結構，提高金氧矽發光二極體的電激發光效率。
實驗上以液相沉積法製作的元件，外部量子效率可達到2.1×10^(-6)，使用直徑8~11nm二氧化矽奈米粒子的元件，效率可達1.3×10^(-5)。

關鍵字

矽 ； 二氧化矽 ； 金氧半元件 ； 發光二極體 ； 液相沉積法 ； 奈米粒子 ； 奈米結構 ； 效率

並列摘要

In this paper, efforts were made to develop silicon-based light sources capable to be integrated with present silicon electronic devices on a single chip. Nano-structure on gate oxide was proposed to enhance the efficiency of silicon electroluminescence (EL) from metal-oxide-silicon light emitting diode (MOS LED).
External quantum efficiency as high as 2.1×10^(-6) was achieved on MOS LED with liquid-phase deposited (LPD) oxide, and efficiency as high as 1.0×10^(-5) was achieved on MOS LED with SiO2 nano-particles (8~11 nm in diameter)

並列關鍵字

Silicon ； Silicon dioxide ； MOS ； LED ； LPD ； Nano-particle ； Nano-structure ； efficiency