釓摻雜氧化鋅鋁透明導電薄膜特性分析

魏嘉瑩 ； 林佳樺 ； 劉正毓

《化工》 62卷4期 (2015/08) Pp. 34-39

https://doi.org/10.29803/CE.201508_62(4).0004

摘要

本論文針對釓摻雜氧化錚鋁（Gd-doped Aluminum Zinc Oxide, Gd : AZO）透明導電薄膜(transparent conductive thin film）進行材料特性量測分析，並且探討其與未摻雜之氧化鋅鋁（ZnO : Ah03 = 98wt％ : 2wt％）薄膜光電特性差異。本實驗利用共濺鍍系統（co-sputter）成長薄膜，以多層膜的方式將釓摻雜氧化鋅鋁薄膜濺鍍在石英玻璃（quartz）基板上，一共分成五層AZO/Gd/＂AZO＂/Gd/AZO，改變Gd與AZO在多層膜結構中厚度比例，得到不同濃度釓摻雜氧化鋅鋁導電薄膜。沉積以後經由適當的熱處理，利用霍爾量測（Hall Measurement）量測電性，且利用氧化鋅鋁導電機制合理探討各種量測結果。經由本研究可知，Gd : AZO薄膜因具有良好之電性，因此為替代氧化鋼錫（ITO）來當成透明導電層應用在氮化鎵發光二極體（GaN-based LED）上的潛力。