- 學位論文
以LaNiO3底電極開發(Pr,Ca)MnO3非揮發性電阻記憶體特性之研究
Characteristics of (Pr,Ca)MnO3 thin films on LaNiO3-electrodized Si substrate for nonvolatile resistance random access memory application
摘要
電阻式非揮發性記憶體（RRAM）深具競爭潛力，具備操作電壓低、快速操作時間、結構簡單化、可多位元記憶、耐久性佳、記憶元件面積縮小及非破壞性讀取等優勢，並且擁有低成本的競爭力，發展潛力深受市場矚目。雖然擁有非常優異的特性，但是至今電阻轉換效應的工作機制尚未被明確了解，對於材料特性的掌握度不足，因而材料的研究將扮演關鍵的角色。 本論文的方向主要集中在探討電極材料與鐠鈣錳氧（PCMO）薄膜特性對電阻轉換效應的影響性。藉由氧化物電極鎳酸鑭（LaNiO3）來降低PCMO薄膜的結晶溫度，並控制其具強烈（001）優選指向。透過PCMO薄膜鍍製於Pt/Ti/SiO2/Si及LNO/Pt/Ti/SiO2/Si兩種底電極基板上，並選用LNO或Pt兩種上電極材料相互對照，試圖了解電阻轉換效應(resistance-switching effect)的工作機制來源。研究發現電阻轉換效應的發生，推測與PCMO薄膜本身結晶特性及電阻層與電極間界面匹配性有關，其中以LNO/PCMO/LNO結構表現最為優異，高低電阻值的變化可高達100倍。並成功以導電性原子力顯微鏡觀察電阻轉換效應，利用導電性探針施加電壓在奈米區域寫入訊號，確實可以觀察到非揮發性記憶特性。
參考文獻
2. 簡昭欣、呂正傑、陳志遠、張茂男、許世祿、趙天生,“先進記憶體簡介,”國研科技創刊號
3.Gerhard Muller, Thomas Happ, Michael Kund, Gill Yong Lee, Nicolas Nagel, and Recai Sezi,“Status and Outlook of Emerging Nonvolatile Memory Techologies,” IEEE (2004).
8. Y. Tokura and Y. Tomioka, J. Magn. Magn. Mater. 200, 1 (1999).
10. S.Q. Liu, N. J.Wu, and A. Ignatiev, “Electric-pulse-induced reversible resistance change effect in magnetoresistive films,” Appl. Phys. Lett. 76,2749, (2000).
11.A. Sawa, T. Fujii, M. Kawawaki, and Y. Tokura“Hysteretic current-voltage characteristics and resistance switching at a rectifying Ti/Pr0.7Ca0.3MnO3 interface,” Appl. Phys. Lett. 85,4073, (2004).
被引用紀錄
鍾心瑜（2011）。銅導電橋CBRAM之製作與特性研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2011.00293
Kao, K. K. (2010). 氧化鉿薄膜之電阻式記憶體轉態特性探討與研究 [master's thesis, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6843/NTHU.2010.00490
Wang, W. T. (2009). 應用在RRAM記憶體之氧化鋅薄膜及其電極材料開發 [master's thesis, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6843/NTHU.2009.00402
蔡濬名（2008）。氧化鋅薄膜於非揮發電阻式記憶體特性之研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-1410200814312889
陳昱丞（2010）。二氧化鉿電阻式隨機存取記憶體元件之雙極切換特性研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-2203201110475306
延伸閱讀
- 林杰融（2013）。以接觸點電阻式記憶元件為基礎 之可調變雜訊產生器之研究〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-2511201311303153
- 潘恩亞、游漢輝（1998）。八十五年度碩士學生論文獎得獎簡介之二 利用BaTiO3晶體產生自泵激式短脈衝相位共軛光。光學工程，(63)，15-19。https://doi.org/10.30011/OE.199809.0002
- 楊鴻璋（2007）。YAG：Ce3+ 螢光粉與其靶材之製備以及光激發光特性之研究〔碩士論文，國立臺北科技大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0006-0907200710225700
- Jourdani, R., Outzourhit, A., Oueriagli, A., Aitelhabti, D., Ameziane, E. L., Barazzouk, S., & Hotchandani, S. (2004). STRUCTURAL, OPTICAL AND ELECTROCHROMIC PROPERTIES OF NANOCRYSTALLINE TiO_2 THIN FILMS PREPARED BY SPIN COATING. Active and Passive Electronic Components, 2004(), 125-131. https://doi.org/10.1080/08827510310001616849
- Chiu, Y. C. (2011). Study of Resistance Switching Characteristics and Fabrication in TaON Thin Film for Resistive Random Access Memory [master's thesis, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2011.00150