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  • 學位論文

CMOS-MEMS 雙面後製程平台之開發及其於微感測器之整合與應用

Implementation and Development Double-side CMOS-MEMS Platform for Sensors Integration

指導教授 : 方維倫
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摘要


CMOS-MEMS使用標準化的半導體製程技術來製作微機電元件的微加工技術,能輕易地與感測、控制電路整合在同一晶片上,成為一個完整的微機電系統。目前,CMOS-MEMS後製程多半有其獨特性,造成單一後製程技術往往只能用來設計同一類型的元件,局限了在晶片上製造多種元件與達成系統整合的機會。因此本文將開發一CMOS-MEMS後製程平台,以實現整合不同形態的感測器於單一晶片上。 為了驗證此整合平台的可行性,本論文同時設計多種不同型態的感測元件,其中包含了三軸加速度計、電容式壓力計、和熱電阻白金溫度等,單一後製程流程即可整合不同型態的感測器於單一晶片上。元件製作採用台積電(TSMC)的CMOS 0.35m 2P4M標準製程來製作CMOS晶片,然後搭配新型雙面後製程平台完成。除此之外,本文同時探討各個感測器的設計原理;(1)多軸加速度計的設計與整合,從三軸個別獨立設計之多質量塊加速度計,慢慢演化至單質量塊三軸慣性感測器,(2)電容式壓力計設計,(3)熱電阻式溫度計以及(4)多功能感測晶片整合於單晶片中。整體而言,本論文藉由了解最基本的元件設計、製作流程、以及量測元件個別的特性,來分析與驗證此製程的可行性,期望能提供一個良好的CMOS-MEMS後製程平台用於感測器之整合與應用。

參考文獻


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被引用紀錄


歐冠宏(2015)。改善CMOS-MEMS Pirani 真空計感測範圍之設計〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2015.00506

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