雙增益雙頻2.4/5.2 GHz低雜訊放大器運用在802.11a/b/g設計與實現

A concurrent Dual-Band 2.4/5.2GHz Low Noise Amplifier for 802.11a/b/g application

彭士峰(Shih-Feng Peng)

指導教授 ： 陳淳杰

中原大學/電機資訊學院/電子工程研究所/碩士(2017年)

https://doi.org/10.6840/cycu201700463

摘要

本論文採用共閘極疊接式低雜訊放大器架構，調整中心頻率使其適用於 802.11a/b/g標準，並利用閘極截止電感補償其轉導值在高頻衰減的現象，讓等效轉導值 Gm的衰減降低。在以TSMC 0.18 μm RF-CMOS 製程技術的模擬結果中，雜訊指數NF介於6~7dB，在S21增益部分峰值達到16.79dB、16.79dB(2.4G/5.2G)，在阻抗匹配S11，-18.31dB、-13.53dB(2.4G/5.2G)，IP1dB為-21dBm、-23dBm(2.4G/5.2G)，IIP3之線性度為-9.9dBm、-11.1dBm(2.4G/5.2G)，其晶片面積為1.08mm2 ，而在固定電源供應1.8V下，功率消耗為10.68mW。

關鍵字

低雜訊放大器 ； 雙頻

並列摘要

In this paper, utilized the Common Gate topology for Low Noise Amplifier. By tuning center frequency apply to 802.11a/b/g protocol. In order to reduce Gm attenuation in high frequency, applying Gate-Terminating Inductor to compensate the degeneration phenomenon. In this study, simulated in TSMC 0.18 μm RF-CMOS standard process, occupies a chip area of 1.08mm2 . The noise figure ranges from 6-7dB. And the gain maximum value |S21| is reach to 16.79dB at 2.4/5.2GHz. Impedance matching |S11| are -18.31dB/-13.53dB at 2.4/5.2GHz. The linearity parameters of 1-dB compression point(IP1dB) are -21dBm/-23dBm at 2.4/5.2GHz,and IIP3 are -9.9dBm/-11.1dBm at 2.4/5.2GHz. The entirely power consumption is 10.68mW at a power supply of 1.8V.

並列關鍵字

Low noise amplifier(LNA) ； Dual-band

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