電流再利用之低雜訊放大器設計應用於4-8GHz

Design of Low Noise Amplifier with Current-Reused in 4-8GHz

邱文靖(Wen-Jing Chiu)

指導教授 ： 廖裕評

共同指導教授 ： 黃至堯

健行科技大學/電資學院/電子工程所/碩士(2010年)

https://doi.org/10.6824/UCH.2010.00001

摘要

本論文研製之低雜訊放大器，是使用TSMC 0.18 CMOS製程來做設計，採用電流再利用的結構並疊接於共源級放大器。此低雜訊放大器具有高增益、低雜訊且面積小的優點。第一級電路部分是使用帶通濾波器來做input matching，第二級電路，利用疊接方式使用電流再利用的架構來達到電流重複使用，以降低功率消耗。最後一節電路為一源級隨偶器，做一個電路輸出緩衝的功用，並來做output matching。供應電壓為1.8伏特，本研究的低雜訊放大器，順向增益(S21)在4-8GHz為平均為17dB，最高為20dB。逆向隔離(S12)為-30dB以下，S11為-10dB以下，S22為-10dB以下。而平均雜訊指數約為2.9dB，最低為2.7dB。

關鍵字

低雜訊放大器 ； 共源級放大器 ； 帶通濾波器 ； 源級隨偶器

並列摘要

A current-reused two-stage low noise amplifier (LNA) topology is proposed, which adopts a series inter-stage resonance and optimized substrate resistance of individual transistors. The characteristics of the series inter-stage resonance with gain enhancement are compared with other alternatives. The proposed LNA is implemented based on a 0.18μm CMOS technology for 4-8 GHz WLAN. Simulation results show that the power gain is 20 dB and minimum Noise Figure (NF) is 2.7dB with the dc power supply is 1.8V.

並列關鍵字

LNA ； WLAN ； power gain ； Noise Figure (NF)

參考文獻

Reference

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