成長硒化鎘量子點於砷化鎵(100)基板上之研究

A Study on the Growth of CdSe Quantum Dots on GaAs Substrates

陳名偉(Ming-Wei Chen)

指導教授 ： 張顏暉

國立臺灣大學/理學院/物理研究所/碩士(2005年)

https://doi.org/10.6342/NTU.2005.01927

摘要

本文主是要是討論以MOCVD技術成長Ⅱ-Ⅵ族半導體CdSe/ZnSe量子點，並利用光致激發光譜(PL)研究其光學性質。根據實驗結果再次證明，只要能找到適當的參數即可成長出具有高發光效率的量子點，其峰值位置相對CdSe塊材藍移了約620 meV，顯示出很強的量子侷限效應 。
籍由長晶的時間可以控制量子點的尺寸大小，並由光致激發光譜得知，越小的量子點具有較高的峰值位置與較強的激子束縛能，其束縛能相較於CdSe塊材增加達六倍之多。
在尋找適當的成長參數時，我們發現包覆層厚度的增加將使量子點的峰值位置略為藍移。以10秒和15秒中斷時間製做出的量子點(其他條件相同)，其PL光譜差異極大，顯然對量子點的成長有重大的影響，這是個很有趣的現象，值得進一步的研究。
在變溫PL光譜實驗中，半高寬的變化先減小後上升，變化幅度不小，此乃量子點系統迥異於量子井系統的一大特徵。
最後，我們以原子力顯微鏡觀察量子點系統的表面形態。

關鍵字

硒化鎘 ； 硒化鋅 ； 量子點 ； 有機金屬化學氣相沉積 ； 光致激發光譜

並列摘要

無資料

並列關鍵字

CdSe ； ZnSe ； Quantum Dots ； MOCVD ； Photoluminiscence

參考文獻

[18] 謝嘉民、賴一凡、林永昌、枋志堯, “光激發螢光量測的原理、架構及應用”,科儀新知, 第26卷, 第6期, pp. 39-51, 2005。

[20] 黃英碩,”掃描探顯微術的原理及應用”,科儀新知,第26卷, 第4期, pp.7-17, 2005。

[1] Quantum heterostructures : microelectronics and optoelectronics, Vladimir V. Mitin, Viatcheslav A. Kochelap, Michael A. Stroscio.

[2] Physics of semiconductors and their heterostructures, Jasprit Singh, McGraw-Hill,Inc

[3] Organometallic Vapor Phase Epitaxy: Theory and Practice, Gerald B. Stringfellow , Academic Press, Inc.