Mo:Ta對TFT蝕刻製程影響之研究

The influence of Mo:Ta in TFT etching process

徐忠楠(Chung-Nan hsu)

指導教授 ： 劉宗平

元智大學/電機通訊學院/光電工程學系/碩士(2013年)

https://doi.org/10.6838/YZU.2013.00238

摘要

為了能夠取代金屬靶材Cr而使用參雜了Ta靶材的Mo，本研究係以靶材Mo:Ta作為研究對象，原重金屬Cr 的面電阻雖然較Mo:Ta來的低，但阻抗相對於Mo:Ta來的高，且起始電流也劣於Mo:Ta。為了能夠更進一步地提升面板的電性，我們以Mo:Ta合金靶作為本次研究深入探討對象。
經研究後發現Mo:Ta在蝕刻過程中所遇到的過蝕刻問題係以兩段式蝕刻來改善，並且利用田口實驗方式來找出製程上的最佳參數，最後有效的改善了Mo:Ta過蝕刻的問題，並且在阻抗值與起始電流值方面也優於Cr。
而在綠色環保概念中，同時也降低了原本使用重金屬Cr所帶來的微量副產物六價鉻 (Cr6+) 的危害。

關鍵字

Mo:Ta ； 過蝕刻 ； 兩段式蝕刻

並列摘要

For replacing the Cr by using Mo:Ta, in addition to the sheet resistance of Cr lower than Mo:Ta, the resistance also higher than Mo:Ta.
For expending understand the electric characteristic of panel, we have to discuss about Mo:Ta in depth.
After research, we can improvement the over etching by using two step etching, and optimize the process parameter by using taguzi experiment plan. Finally, the resistance and circuit value are better than Cr, and for green conception, also decrease the hazard by Cr6+ from Cr.

並列關鍵字

Mo:Ta ； over etching ； two step etching

參考文獻

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