應用鋁鍺共晶於發光二極體覆晶封裝之研究

The Study of Flip Chip Packaging Technique on LEDs by Applying the Al-Ge Eutectic

廖冠翔(Guan-Xiang Liao)

指導教授 ： 陳文瑞

國立虎尾科技大學/電機資訊學院/光電與材料科技研究所/碩士(2012年)

摘要

本實驗利用微機電技術製來作LED封裝模組，將現今普遍Filp-chip LED封裝模組電極圖形材料Au-Sn合金替代為Al-Ge合金，利用濺鍍和熱蒸鍍方式將Al-Ge 成長於玻璃基板上進行450℃熱壓合，並利用EDS及XRD等分析儀器作成份比例分析，以確認達到共晶點的成份組合比例及Al-Ge合金相是否產生。
再 將Al-Ge合金應用於LED封裝模組上並與現今的Au-Sn的封裝模組作電性量測分析，接而透過量測取得接面溫度及計算出串聯電阻，分析比較兩者之間的差異優劣。

關鍵字

Al-Ge ； Flip-Chip ； 接面溫度 ； 串聯電阻

並列摘要

In this study, the fabricated of LED package module by MEMS technology. It uses Al-Ge alloy instead of Au-Sn alloy which is Flip-chip LED material of pattern module electrode package. Using the way of sputter and thermal evaporation, let Al-Ge alloy to grows on the glass base with 450oC thermocompression. Moreover, using EDS,XRD and ect, as well, to analysis the percentage of the percentage of produces element, to confirm the percentage of element of invariant point and Al-Ge alloy is produce or not.

Then, Al-Ge alloy used on LED packaging module, and compact with Au-Sn packaging module in terms of analysis of electrical measurements, and obtain the junction temperature by measurements, and then calculate the series resistance. Finally, comparison and analysis between Al-Ge alloy and Au-Sn alloy of the pros and cons.

並列關鍵字

Al-Ge ； Flip-Chip ； junction temperature ； series resistance

參考文獻

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